256Kb FRAM Serial 3V Memory - Extended Temp The FM25L256-G is a 256-Kbit (32K x 8) nonvolatile ferroelectric RAM (FRAM) manufactured by RAMTRON (now part of Cypress Semiconductor). Key specifications include:  

- **Density:** 256 Kbit (32K x 8)  
- **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
- **Speed:** Up to 40 MHz  
- **Operating Voltage:** 3.3V  
- **Endurance:** 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at +85°C  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Options:** 8-pin SOIC, 8-pin DFN  
- **Write Protection:** Software-controlled via WP pin  
- **Low Power Consumption:** Active current (3 mA at 40 MHz), standby current (150 µA)  

The FM25L256-G provides high-speed, high-reliability nonvolatile memory with no write delays, unlike traditional EEPROM or Flash.

256Kb FRAM Serial 3V Memory - Extended Temp The FM25L256-G is a 256-Kbit (32K x 8) serial (SPI) FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) device manufactured by **Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 256 Kbit (32,768 x 8 bits)  
- **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
  - **SPI Modes:** 0 and 3  
  - **Max Clock Frequency:** 40 MHz  
- **Operating Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Endurance:** 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Options:** 8-pin SOIC, 8-pin DFN  
- **Write Speed:** No write delays (unlike Flash/EEPROM)  
- **Additional Features:**  
  - Hardware and software write protection  
  - Low power consumption (active & standby modes)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

256Kb FRAM Serial 3V Memory - Extended Temp The FM25L256-G is a 256-Kbit (32K x 8) serial (SPI) F-RAM (Ferroelectric RAM) memory device manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Key specifications include:

- **Memory Size**: 256 Kbit (32,768 x 8 bits)  
- **Interface**: SPI (Serial Peripheral Interface) with up to 40 MHz clock frequency  
- **Operating Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Endurance**: 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention**: 10 years at 85°C, 151 years at 25°C  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Package Options**: 8-pin SOIC and 8-pin DFN  
- **Write Protection**: Software and hardware write protection options  
- **Low Power Consumption**: Active current of 1.5 mA (at 40 MHz), standby current of 150 µA  

The device supports high-speed writes with no write delays, unlike traditional Flash or EEPROM memory.