16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM The FM24CL16B-GTR is a 16-Kbit (2K x 8) nonvolatile ferroelectric random access memory (F-RAM) manufactured by RAMTRON (now part of Cypress Semiconductor).  

### Key Specifications:  
- **Memory Size:** 16 Kbit (2048 x 8)  
- **Interface:** I²C (Two-wire serial interface)  
- **Operating Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Speed:** Up to 1 MHz (I²C Fast-mode)  
- **Endurance:** 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 8-lead SOIC (150-mil)  

The FM24CL16B-GTR is designed for high-performance, low-power applications requiring frequent writes and nonvolatile storage.  

(Note: RAMTRON was acquired by Cypress Semiconductor, which is now part of Infineon Technologies.)

16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM The FM24CL16B-GTR is a 16-Kbit (2K x 8) serial (I²C) F-RAM (Ferroelectric RAM) memory device manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies).  

Key specifications:  
- **Memory Size**: 16 Kbit (2048 x 8 bits)  
- **Interface**: I²C (up to 1 MHz)  
- **Voltage Range**: 2.7V to 3.6V  
- **Endurance**: 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention**: 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Package**: 8-lead SOIC  

It is designed for non-volatile data storage with high-speed writes and low power consumption.

16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM The FM24CL16B-GTR is a serial (I²C) F-RAM (Ferroelectric RAM) memory device manufactured by RAMTRON (now part of Cypress Semiconductor). Key specifications include:  

- **Memory Size**: 16 Kbit (2 Kbyte)  
- **Interface**: I²C (up to 1 MHz)  
- **Voltage Range**: 2.7V to 3.6V  
- **Endurance**: 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention**: 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Package**: 8-lead SOIC (150 mil)  
- **Write Speed**: No write delays (similar to SRAM)  
- **Addressing**: 7-bit I²C slave address with two configurable bits  

This device is non-volatile, providing fast writes and high endurance compared to traditional EEPROM.