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FM24C16B-G from RAMTRON

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FM24C16B-G

Manufacturer: RAMTRON

16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FM24C16B-G,FM24C16BG RAMTRON 293 In Stock

Description and Introduction

16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM The FM24C16B-G is a 16-Kbit (2K x 8) nonvolatile ferroelectric random access memory (FRAM) manufactured by RAMTRON (now part of Cypress Semiconductor). Key specifications include:

- **Memory Size:** 16 Kbit (2,048 x 8 bits)  
- **Interface:** I²C (two-wire serial interface)  
- **Operating Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Speed:** Supports 100 kHz (Standard mode) and 400 kHz (Fast mode)  
- **Endurance:** 10 trillion read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Options:** 8-pin SOIC and 8-pin TDFN  

The device features unlimited write cycles with no write delays, unlike traditional EEPROMs. It is RoHS-compliant and suitable for applications requiring frequent and fast nonvolatile memory writes.  

(Note: RAMTRON was acquired by Cypress Semiconductor, which is now part of Infineon Technologies.)

Application Scenarios & Design Considerations

16-Kbit (2 K ?8) Serial (I2C) F-RAM# Technical Documentation: FM24C16BG FRAM Memory

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FM24C16BG is a 16-Kbit (2K × 8) non-volatile Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) organized as 256 pages of 8 bytes each. Its unique characteristics make it suitable for several specialized applications:

 Data Logging Systems : The FM24C16BG's virtually unlimited write endurance (10^14 cycles) and fast write operations make it ideal for high-frequency data recording applications where conventional EEPROMs would wear out prematurely. Typical implementations include:
- Industrial sensor data collection (temperature, pressure, vibration)
- Medical device parameter logging
- Automotive diagnostic event recording
- Power meter consumption tracking

 Real-Time Configuration Storage : Applications requiring frequent parameter updates benefit from the device's byte-addressable writes without erase cycles. Common implementations include:
- Industrial control system setpoint storage
- Communication device configuration parameters
- Test equipment calibration data
- User preference settings in consumer electronics

 Non-Volatile Buffers : The FRAM technology enables use as a non-volatile buffer for data that must survive power loss:
- Transaction completion markers in payment systems
- Last-state recovery in embedded systems
- Emergency shutdown parameters in safety systems
- Power-fail data protection in measurement instruments

### Industry Applications

 Automotive Electronics :
- Airbag deployment event recording (meets extended temperature requirements)
- Engine control unit parameter storage
- Infotainment system user settings
- Telematics data buffering

 Industrial Automation :
- PLC program and parameter storage
- Motor drive configuration memory
- Process control setpoint retention
- Equipment usage counters

 Medical Devices :
- Patient monitor event logging
- Portable diagnostic equipment data storage
- Medical pump configuration memory
- Compliance and calibration records

 Consumer Electronics :
- Smart meter data logging
- Home automation system state storage
- Gaming system save points
- Appliance usage counters and settings

 Communications Equipment :
- Network device configuration storage
- Base station parameter memory
- Router/switch configuration backup
- Telecom equipment event logging

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  High Endurance : 10^14 read/write cycles (effectively unlimited for most applications)
-  Fast Write Speed : No write delays (similar to SRAM write times)
-  Low Power Operation : Active current of 100 µA (typical), standby current of 10 µA
-  Non-Volatile Operation : Data retention > 10 years at 85°C
-  High Reliability : Radiation resistant and immune to magnetic fields
-  Byte Addressability : Individual bytes can be written without page erase requirements

 Limitations :
-  Density Limitations : Maximum 16 Kbit density may require multiple devices for larger memory needs
-  Cost Considerations : Higher per-bit cost compared to conventional EEPROM
-  Voltage Sensitivity : Requires clean power supply with proper decoupling
-  Interface Speed : I²C interface limits maximum data transfer rates compared to parallel interfaces

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Sequencing Issues :
-  Problem : Improper power-up/down sequencing can cause write corruption
-  Solution : Implement proper power monitoring with reset circuits. Use VDD monitoring ICs to ensure device operates within specified voltage range (2.7V to 3.6V)

 I²C Bus Contention :
-  Problem : Multiple masters or improper pull-up values causing bus errors
-  Solution : Use appropriate pull-up resistors (typically 4.7kΩ for standard mode, 2.2kΩ for fast mode). Implement proper bus arbitration in multi-master systems

 Write Protection Circuitry :
-  Problem : Acc

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