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FKP202 from SANKEN

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FKP202

Manufacturer: SANKEN

N-Channel MOS FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FKP202 SANKEN 115000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel MOS FET The FKP202 from SANKEN is a high-voltage power MOSFET. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 20A  
- **Power Dissipation (PD)**: 100W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 1.8Ω (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 800pF  
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 30pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns  
- **Package**: TO-3P  

These specifications are based on standard operating conditions.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel MOS FET # FKP202 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FKP202 is a high-performance film capacitor designed for demanding electronic applications requiring stable capacitance, low losses, and excellent frequency characteristics. Typical use cases include:

 Power Supply Filtering 
- Switching power supply input/output filtering
- DC-DC converter noise suppression
- EMI/RFI filtering in power circuits
- Snubber circuits for power semiconductors

 Signal Processing Applications 
- Audio frequency coupling and decoupling
- Timing circuits in oscillators and timers
- Sample-and-hold circuits
- Active filter networks

 High-Frequency Applications 
- RF impedance matching networks
- VCO tuning circuits
- High-frequency bypass applications
- Resonant circuits up to several MHz

### Industry Applications

 Industrial Electronics 
- Motor drives and inverters
- Industrial power supplies
- Automation control systems
- Welding equipment

 Consumer Electronics 
- High-end audio equipment
- Television and display power supplies
- Computer power supplies
- LED lighting drivers

 Telecommunications 
- Base station power systems
- Network equipment power supplies
- RF power amplifiers
- Communication infrastructure

 Automotive Electronics 
- Electric vehicle power systems
- Automotive infotainment systems
- Engine control units
- Advanced driver assistance systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Excellent stability  with temperature and voltage variations
-  Low dielectric absorption  for precise timing applications
-  High insulation resistance  ensuring minimal leakage current
-  Self-healing properties  for improved reliability
-  Low ESR and ESL  for high-frequency performance
-  Non-polarized construction  allowing AC and pulse applications

 Limitations: 
-  Limited capacitance range  compared to electrolytic capacitors
-  Higher cost per capacitance  than ceramic or electrolytic types
-  Physical size constraints  for high capacitance values
-  Voltage derating requirements  for long-term reliability
-  Temperature coefficient  considerations in precision applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Voltage Rating Selection 
-  Pitfall : Operating near maximum rated voltage without derating
-  Solution : Apply 20-50% voltage derating depending on application and expected lifetime

 Temperature Considerations 
-  Pitfall : Ignoring temperature coefficient in precision circuits
-  Solution : Select appropriate temperature characteristic (P100, NPO, etc.) based on application requirements

 Frequency Response 
-  Pitfall : Assuming ideal capacitor behavior at high frequencies
-  Solution : Consider parasitic inductance and resistance in high-frequency designs

 Mechanical Stress 
-  Pitfall : Excessive board flexure causing internal damage
-  Solution : Provide adequate mechanical support and avoid mounting near board edges

### Compatibility Issues with Other Components

 Semiconductor Compatibility 
- Compatible with most silicon and GaN power devices
- May require snubber networks with fast-switching IGBTs
- Ensure proper voltage coordination with power semiconductors

 Passive Component Integration 
- Works well with most resistors and inductors
- Avoid parallel connection with capacitors having significantly different temperature coefficients
- Consider dielectric absorption effects in timing circuits with precision resistors

 PCB Material Considerations 
- Compatible with FR-4, Rogers, and other common PCB materials
- Consider thermal expansion matching in high-reliability applications
- Ensure adequate clearance for high-voltage applications

### PCB Layout Recommendations

 Placement Strategy 
- Position close to active devices for effective decoupling
- Maintain adequate spacing from heat-generating components
- Consider current paths and loop areas for optimal performance

 Routing Guidelines 
- Use short, wide traces to minimize parasitic inductance
- Implement ground planes for improved high-frequency performance
- Avoid vias in high-current paths when possible

 Thermal Management 
- Provide adequate ventilation around components
-

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