PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **FJX4001RTF** is manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.