NPN Epitaxial Silicon Transistor The part FJV3106RMTF is manufactured by FAIRCHILD. It is a PNP Bipolar Junction Transistor (BJT) with the following specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -3A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = -500mA, VCE = -1V  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.