NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **FJV3103RMTF** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -3A  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 50-250 (at I_C = -1A, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.