### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  
- **Voltage Ratings:**  
  - **V_CEO (Collector-Emitter Voltage):** 400V  
  - **V_CBO (Collector-Base Voltage):** 700V  
  - **V_EBO (Emitter-Base Voltage):** 9V  
- **Current Ratings:**  
  - **I_C (Collector Current):** 12A (continuous)  
  - **I_CM (Peak Collector Current):** 24A (pulsed)  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 6A, V_CE = 5V)  
- **Switching Characteristics:**  
  - **Turn-On Time (t_on):** 100ns (typical)  
  - **Turn-Off Time (t_off):** 500ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in **switching power supplies, inverters, and high-voltage applications**.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)