### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 400V  
- **Collector Current (I_C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Electronic ballasts  
- Motor control circuits  

This transistor is designed for high-voltage, high-speed switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FJPF13007TU.)