NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor The part FJP5321TU is manufactured by FAIRCHILD. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: FAIRCHILD  
- **Part Number**: FJP5321TU  
- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) @ I_C = -500mA, V_CE = -1V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-89  

This information is based solely on the available data.

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor The part FJP5321TU is manufactured by FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor). It is a P-channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.085Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-220AB  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FJP5321TU.