FJN3311RManufacturer: FAIRCHILD NPN Epitaxial Silicon Transistor | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
FJN3311R | FAIRCHILD | 260 | In Stock |
Description and Introduction
NPN Epitaxial Silicon Transistor **Introduction to the FJN3311R by Fairchild Semiconductor**  
The FJN3311R is a high-performance P-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, now part of ON Semiconductor. This surface-mount device is optimized for low-voltage, high-efficiency switching applications, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.   With a drain-source voltage (VDS) rating of -30V and a continuous drain current (ID) of -4.3A, the FJN3311R offers robust performance in compact designs. Its low on-resistance (RDS(on)) minimizes power loss, enhancing energy efficiency in power-sensitive applications. The MOSFET also features a fast switching speed, reducing transition losses in high-frequency circuits.   Encased in a small, thermally efficient Power33 package, the FJN3311R is ideal for space-constrained designs while maintaining effective heat dissipation. Its lead-free and RoHS-compliant construction ensures adherence to environmental regulations.   Engineers favor the FJN3311R for its reliability, low gate charge, and compatibility with modern power systems. Whether used in load switching, power distribution, or voltage regulation, this MOSFET provides a dependable solution for demanding electronic applications.   Fairchild Semiconductor’s legacy of quality ensures that the FJN3311R meets industry standards for performance and durability. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FJN3311R | FSC | 264 | In Stock |
Description and Introduction
NPN Epitaxial Silicon Transistor **Introduction to the FJN3311R Transistor by Fairchild Semiconductor**  
The FJN3311R is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, now part of ON Semiconductor. This surface-mount component is optimized for switching applications, offering low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.   With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 4.7A, the FJN3311R provides efficient power handling in compact designs. Its low gate charge and threshold voltage enhance energy efficiency, particularly in battery-operated devices. The transistor is housed in a small SOT-23 package, ideal for space-constrained applications such as DC-DC converters, load switches, and motor drivers.   Key features include enhanced thermal performance and robust ESD protection, ensuring reliability in demanding environments. Engineers favor the FJN3311R for its balance of performance, size, and cost-effectiveness, making it a versatile choice for modern electronics.   Fairchild Semiconductor’s legacy of quality ensures that this component meets industry standards, delivering consistent performance in both consumer and industrial applications. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips