NPN Epitaxial Silicon Transistor # Introduction to the FJN3307R Transistor by Fairchild Semiconductor  

The FJN3307R is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed and manufactured by Fairchild Semiconductor, a well-known leader in semiconductor technology. This transistor is part of the high-performance 2N3307 series, offering reliable switching and amplification capabilities for a variety of electronic applications.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of -60V and a continuous collector current (I_C) of -800mA, the FJN3307R is suitable for low to medium-power circuits. Its high current gain (h_FE) ensures efficient signal amplification, while its low saturation voltage enhances energy efficiency in switching applications.  

The device is housed in a TO-92 package, making it compact and easy to integrate into circuit designs. Common uses include audio amplifiers, signal processing circuits, and general-purpose switching tasks. Engineers and hobbyists appreciate its robustness, consistent performance, and compatibility with standard PNP transistor configurations.  

Fairchild Semiconductor's FJN3307R exemplifies quality and reliability, making it a preferred choice for designers seeking dependable transistor solutions in both commercial and industrial electronics.

NPN Epitaxial Silicon Transistor Part number **FJN3307R** is manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is commonly used in power management, switching applications, and DC-DC converters.  

For detailed datasheets, refer to Fairchild Semiconductor or ON Semiconductor's official documentation.