NPN Epitaxial Silicon Transistor The part number **FJL4315OTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-220  
3. **Voltage Ratings**:  
   - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): 150V  
   - Collector-Base Voltage (V_CBO): 150V  
   - Emitter-Base Voltage (V_EBO): 5V  
4. **Current Ratings**:  
   - Continuous Collector Current (I_C): 10A  
   - Base Current (I_B): 5A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 40-250 (at I_C = 5A, V_CE = 4V)  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official FAIRCHILD documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The **FJL4315OTU** from Fairchild Semiconductor is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplification and switching applications. This robust component is engineered to deliver efficient performance in demanding electronic circuits, making it suitable for use in power supplies, motor control systems, and audio amplifiers.  

With a collector-emitter voltage (V_CE) rating of 150V and a continuous collector current (I_C) of 15A, the FJL4315OTU ensures reliable operation under high-power conditions. Its low saturation voltage and fast switching characteristics enhance energy efficiency, reducing power losses in switching applications.  

The transistor features a TO-220 package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. This design allows for easy mounting on heat sinks, ensuring stable performance even under prolonged high-load conditions. Additionally, the FJL4315OTU is built with high current gain (h_FE), contributing to improved signal amplification in analog circuits.  

Engineers and designers favor the FJL4315OTU for its balance of power handling, thermal stability, and switching speed. Whether used in industrial automation or consumer electronics, this transistor offers a dependable solution for high-power electronic designs. Its specifications make it a versatile choice for applications requiring durability and efficiency.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part FJL4315OTU is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): 150V  
  - Collector-Base Voltage (V_CBO): 150V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EBO): 5V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (I_C): 15A  
  - Base Current (I_B): 5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 (min) at I_C = 8A, V_CE = 4V  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  

This transistor is designed for high-power switching and amplification applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FJL4315OTU.)