NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor The **FJE5304D** from Fairchild Semiconductor is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplification and switching applications. With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of -60V and a continuous collector current (I_C) of -4A, this transistor is well-suited for medium-power circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low saturation voltage and high current gain, the FJE5304D ensures efficient operation in both linear and switching modes. Its robust construction and thermal characteristics make it reliable under demanding conditions, while its TO-252 (DPAK) package provides effective heat dissipation for improved durability.  

Common applications include voltage regulation, motor control, and audio amplification, where stable performance and energy efficiency are critical. Engineers often choose the FJE5304D for its balance of power handling, compact form factor, and cost-effectiveness.  

Fairchild Semiconductor's legacy of quality ensures that this component meets stringent industry standards, making it a dependable choice for circuit designers seeking a durable and high-performing PNP transistor.

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor The part FJE5304D is manufactured by FAIRCHILD. Here are its specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 400V  
- **Collector Current (I_C)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 (min) at I_C = 4A  
- **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the key specifications for the FJE5304D transistor as provided by FAIRCHILD.