NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor The FJE3303H2 is a PNP transistor manufactured in a TO-126 package. Below are its key specifications:  

- **Package Type**: TO-126  
- **Transistor Type**: PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1.5A  
- **Power Dissipation (PD)**: 10W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (depending on conditions)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the FJE3303H2 in the TO-126 package.