NPN Epitaxial Silicon Transistor The **FJD3076TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and load control in various electronic circuits.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of -30V and a continuous drain current (ID) of -12A, the FJD3076TM is optimized for efficiency in power conversion systems, battery protection circuits, and motor control applications. Its compact DPAK (TO-252) package ensures effective thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs.  

Key advantages include fast switching speeds and low gate charge, which contribute to reduced power losses and improved system efficiency. The MOSFET also incorporates robust ESD protection, enhancing reliability in demanding environments.  

Engineers often select the FJD3076TM for its balance of performance and cost-effectiveness, particularly in portable devices, DC-DC converters, and automotive electronics. Its specifications make it a practical choice for designs requiring efficient power handling in constrained spaces.  

For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official datasheet to ensure proper implementation in circuit designs.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part FJD3076TM is manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 44A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 176A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 12mΩ (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typ)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.