NPN Epitaxial Silicon Transistor The FJC1963STF is a semiconductor device manufactured by FAIRCHILD (now ON Semiconductor). It is a PNP silicon transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FJC1963STF.