NPN Epitaxial Silicon Transistor The FJC1963QTF is a transistor manufactured by **FAIRCHILD**.  

Key specifications include:  
- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40V  
- **Collector Current (I_C)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 1A  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.  

For detailed parameters, refer to the official **Fairchild datasheet**.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The FJC1963QTF is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Type**: N-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: 30V  
- **Maximum Drain Current (I_D)**: 10mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.3V to -3V  
- **Zero-Gate Voltage Drain Current (I_DSS)**: 1mA to 5mA  
- **Common-Source Forward Transconductance (g_fs)**: 1000µS (min)  

Package: TO-92 (through-hole, 3-pin).  

Fairchild Semiconductor was a major semiconductor manufacturer before its acquisition by ON Semiconductor. The FJC1963QTF was commonly used in low-noise amplifier and switching applications.  

For exact datasheet details, refer to ON Semiconductor's documentation archives.