NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **FJA4310RTU** is manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Here are its key specifications:

- **Transistor Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 5A, V_CE = 4V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This transistor is designed for high-speed switching and amplification applications.