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FGB20N6S2T from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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FGB20N6S2T

Manufacturer: FAIRCHILD

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT, TO-263/D2PAK Package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FGB20N6S2T FAIRCHILD 1532 In Stock

Description and Introduction

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT, TO-263/D2PAK Package The **FGB20N6S2T** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a voltage rating of 60V and a continuous drain current of 20A, this component is well-suited for switching power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.  

Built using advanced PowerTrench® technology, the FGB20N6S2T offers low on-resistance (RDS(on)) and high switching speeds, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its compact D2PAK (TO-263) package enhances heat dissipation, making it ideal for high-power-density designs.  

Key features include a robust gate charge (Qg) and low gate drive requirements, which contribute to reduced switching losses in high-frequency applications. Additionally, the MOSFET is designed with avalanche energy tolerance, enhancing reliability in demanding environments.  

Engineers and designers will appreciate the FGB20N6S2T for its balance of efficiency, durability, and compact form factor, making it a versatile choice for modern power electronics. Whether used in industrial, automotive, or consumer applications, this MOSFET delivers consistent performance and energy efficiency.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper integration into your circuit design.

Application Scenarios & Design Considerations

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT, TO-263/D2PAK Package# Technical Documentation: FGB20N6S2T Power MOSFET

*Manufacturer: FAIRCHILD*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FGB20N6S2T is a 200V N-channel Power MOSFET specifically designed for  high-efficiency switching applications . Its primary use cases include:

-  Switch Mode Power Supplies (SMPS) : Particularly in forward converters and half-bridge configurations operating at frequencies up to 100kHz
-  DC-DC Converters : Buck, boost, and buck-boost topologies requiring 10-15A continuous current handling
-  Motor Drive Circuits : Brushed DC motor controllers and stepper motor drivers for industrial automation
-  Power Management Systems : Load switching, power distribution, and battery protection circuits

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives for conveyor systems, robotic arms, and CNC machinery
-  Automotive Electronics : 48V mild-hybrid systems, electric power steering, and battery management systems
-  Renewable Energy : Solar charge controllers, wind turbine power conditioning, and battery storage systems
-  Consumer Electronics : High-power audio amplifiers, LED drivers, and high-current power supplies
-  Telecommunications : Base station power supplies and network equipment power distribution

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on) : 85mΩ maximum at VGS = 10V ensures minimal conduction losses
-  Fast Switching : Typical rise time of 15ns and fall time of 20ns enables efficient high-frequency operation
-  Avalanche Ruggedness : Capable of handling unclamped inductive switching (UIS) scenarios
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 1.0°C/W) facilitates effective heat dissipation
-  Logic Level Compatibility : Can be driven directly from 5V microcontroller outputs

 Limitations: 
-  Voltage Rating : 200V maximum limits use in high-voltage industrial applications (>250V systems)
-  Gate Charge : Total gate charge of 30nC requires adequate gate drive current for optimal switching performance
-  Temperature Sensitivity : RDS(on) increases by approximately 1.5 times at 100°C junction temperature
-  Package Constraints : TO-263 (D2PAK) package may require additional thermal management in high-power applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
-  Problem : Slow switching transitions due to insufficient gate drive current
-  Solution : Implement dedicated gate driver IC (e.g., TC4427) capable of delivering 1.5A peak current

 Pitfall 2: Thermal Management Issues 
-  Problem : Excessive junction temperature leading to thermal runaway
-  Solution : Use proper heatsinking and ensure thermal pad connection to PCB copper pour (minimum 2oz copper)

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Switching 
-  Problem : Destructive voltage overshoot during turn-off
-  Solution : Implement snubber circuits and ensure proper layout to minimize parasitic inductance

 Pitfall 4: Shoot-Through in Bridge Configurations 
-  Problem : Simultaneous conduction in half-bridge topologies
-  Solution : Incorporate dead-time control in PWM generation (minimum 200ns)

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility: 
- Compatible with most standard MOSFET drivers (IR21xx series, TC44xx series)
- Requires drivers with minimum 2A peak output current for optimal performance
- Avoid using pull-up resistors >100Ω in gate drive circuits

 Microcontroller Interface: 
- Direct compatibility with 3.3V and 5V logic levels
- May require level shifting when interfacing with 1.8V systems

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