Dual Ultrafast Plastic Rectifier, Forward Current 30 A The FEP30DP is a power module manufactured by GS (General Semiconductor, now part of Vishay). Here are its key specifications:  

- **Type**: Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 30A per channel  
- **Power Dissipation (PD)**: 75W per channel  
- **On-Resistance (RDS(on))**: Typically 0.025Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Package**: TO-220AB (isolated tab)  
- **Applications**: Power switching, motor control, DC-DC converters  

For exact datasheet details, refer to Vishay's official documentation.

Dual Ultrafast Plastic Rectifier, Forward Current 30 A The part FEP30DP is manufactured by GI (General Instrument). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** General Instrument (GI)  
- **Part Number:** FEP30DP  
- **Type:** Diode (Rectifier)  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 30A  
- **Package Type:** TO-220AC  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 1.1V (typical)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 35ns (typical)  

This information is based solely on the available data for the FEP30DP diode from GI.

Dual Ultrafast Plastic Rectifier, Forward Current 30 A The FEP30DP is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max at V_GS = 10V)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Vishay's datasheet for the FEP30DP.

Dual Ultrafast Plastic Rectifier, Forward Current 30 A **Introduction to the FEP30DP Electronic Component**  

The **FEP30DP** is a high-performance electronic component designed for efficient power management and switching applications. As a fast-recovery diode, it is engineered to deliver low forward voltage drop and minimal reverse recovery time, making it suitable for high-frequency circuits and power supply systems.  

With a robust construction, the FEP30DP ensures reliable operation under demanding conditions, including elevated temperatures and high current loads. Its optimized design enhances energy efficiency while reducing switching losses, which is critical in applications such as inverters, converters, and motor drives.  

Key features of the FEP30DP include a high surge current capability, excellent thermal performance, and a compact form factor that facilitates integration into space-constrained designs. These attributes make it a preferred choice for engineers seeking a balance between performance and durability in power electronics.  

Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or consumer electronics, the FEP30DP provides consistent performance and long-term reliability. Its technical specifications align with industry standards, ensuring compatibility with a wide range of circuit configurations.  

For designers focused on optimizing power efficiency and minimizing energy losses, the FEP30DP represents a dependable solution for modern electronic applications.