Complementary PowerTrench MOSFET The **FDW2521C** from Fairchild Semiconductor is a high-performance dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it suitable for power conversion, load switching, and motor control circuits.  

With a compact SO-8 package, the FDW2521C integrates two MOSFETs in a single chip, optimizing board space while maintaining thermal efficiency. Its advanced trench technology ensures minimal conduction and switching losses, enhancing overall system reliability. The device operates with a drain-source voltage (VDS) of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 6.3A per channel, making it ideal for low-voltage, high-current applications.  

Engineers value the FDW2521C for its robust performance in DC-DC converters, battery management systems, and portable electronics. Its low gate charge (Qg) further improves efficiency in high-frequency switching environments. Additionally, the MOSFET is designed with built-in ESD protection, ensuring durability in demanding conditions.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality is reflected in the FDW2521C's consistent performance and industry-standard reliability. Whether used in consumer electronics or industrial power systems, this MOSFET delivers a balance of power efficiency and compact design.

Complementary PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDW2521C by Fairchild Semiconductor**  

The FDW2521C is a high-performance dual N-channel PowerTrench® MOSFET from Fairchild Semiconductor, designed for applications requiring efficient power management and fast switching. This component integrates two MOSFETs in a compact SO-8 package, making it suitable for space-constrained designs while delivering low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capabilities.  

With a voltage rating of 30V and continuous drain current up to 6.5A per channel, the FDW2521C is ideal for DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall energy efficiency.  

Key features include a low gate charge (Qg) and fast switching speeds, which minimize power dissipation in high-frequency applications. The MOSFETs are also designed with a common-drain configuration, simplifying circuit layout and improving thermal performance.  

Engineers favor the FDW2521C for its reliability and robustness, backed by Fairchild Semiconductor’s expertise in power semiconductor solutions. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this component offers a balance of performance and cost-effectiveness for modern power management needs.

Complementary PowerTrench MOSFET The part FDW2521C is manufactured by FAI (First Automobile Works). 

**FAI Specifications for FDW2521C:**
- **Manufacturer:** FAI (First Automobile Works)  
- **Part Number:** FDW2521C  
- **Type:** Automotive component (specific function not detailed in Ic-phoenix technical data files)  
- **Compliance:** Meets FAI's internal quality and performance standards  
- **Material:** Not explicitly specified in Ic-phoenix technical data files  
- **Application:** Used in automotive systems (exact vehicle models or systems not detailed)  

No further technical or dimensional specifications are provided in Ic-phoenix technical data files.