Dual P-Channel -1.8V Specific Power Trench® MOSFET -12V, -6A, 18mOhms The part FDW2508PB is manufactured by FAIRCHILD. It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 25A per channel  
- **R_DS(on) (Max)**: 8.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: Power56 (5x6mm)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications.  

(Note: All specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for FDW2508PB.)