FDU8878Manufacturer: FAI 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
FDU8878 | FAI | 500 | In Stock |
Description and Introduction
30V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDU8878** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching, making it suitable for power supplies, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  
Built using advanced trench technology, the FDU8878 ensures minimal conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 100A, it delivers robust performance in demanding environments. Its low gate charge (Qg) and high avalanche energy capability further contribute to reliable operation under transient conditions.   The MOSFET is housed in a compact, thermally efficient package, ensuring effective heat dissipation and space-saving integration into circuit designs. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.   Engineers and designers will appreciate the FDU8878’s balance of performance, durability, and efficiency, making it a versatile choice for power electronics applications where reliability and energy efficiency are critical. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FDU8878 | FAIRCHIL | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
30V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDU8878** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  
With a drain-source voltage (VDSS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 100A, the FDU8878 delivers robust performance in demanding environments. Its advanced trench technology ensures minimal conduction losses, enhancing thermal efficiency and reliability. Additionally, the MOSFET features a low gate charge (QG), reducing drive requirements and improving switching speed.   The FDU8878 is housed in a compact, thermally efficient Power56 package, which provides excellent heat dissipation and board-level reliability. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.   Engineers and designers will appreciate the FDU8878 for its balance of power handling, efficiency, and thermal performance, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where space and energy efficiency are critical. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips