30V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDU6612A** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. Known for its low on-resistance and fast switching capabilities, this component is well-suited for power supply circuits, motor control, and load switching systems.  

With a robust voltage rating and low gate charge, the FDU6612A ensures minimal power loss, making it ideal for energy-sensitive designs. Its compact package allows for easy integration into space-constrained PCB layouts while maintaining reliable thermal performance. Engineers often favor this MOSFET for its durability and consistent operation under demanding conditions.  

Key features include enhanced electrostatic discharge (ESD) protection and a wide operating temperature range, ensuring stability in diverse environments. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, the FDU6612A delivers efficient power handling with precision.  

For designers seeking a dependable MOSFET solution, the FDU6612A offers a balanced combination of performance, efficiency, and reliability, making it a versatile choice for modern electronic circuits.

30V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDU6612A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max) at V_GS = 10V
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDU6612A.