80V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDU3580** from Fairchild Semiconductor is a high-performance, dual N-channel MOSFET designed for applications requiring efficient power management and switching. This component features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power supply circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

Built with advanced trench technology, the FDU3580 ensures minimal conduction losses, enhancing overall energy efficiency. Its compact SOIC-8 package allows for space-saving integration in modern electronic designs while maintaining reliable thermal performance.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 6.5A per channel, providing robust handling of moderate power loads. The MOSFET also incorporates ESD protection, improving durability in demanding environments.  

Engineers favor the FDU3580 for its balanced performance in both switching and linear applications, along with its compatibility with standard logic-level gate drive circuits. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this component delivers consistent operation under varying load conditions.  

Fairchild Semiconductor's FDU3580 remains a dependable choice for designers seeking a dual MOSFET solution that combines efficiency, reliability, and compact form factor.