N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm Part FDU2572 is manufactured by FAI (First Aviation Inc.). The specifications for FDU2572 are as follows:  

- **Manufacturer:** FAI (First Aviation Inc.)  
- **Part Number:** FDU2572  
- **Type:** Fuel Pump  
- **Material:** Aluminum Alloy  
- **Operating Pressure:** 50 PSI  
- **Flow Rate:** 30 GPM (Gallons Per Minute)  
- **Voltage:** 28 VDC  
- **Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Weight:** 2.5 lbs  
- **Compliance:** FAA-PMA Approved  

This information is based on the available specifications for FDU2572 from FAI.

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm The part FDU2572 is manufactured by FAIRCHILD. It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET designed for high-efficiency DC-DC applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A per MOSFET (at 25°C)  
- **RDS(ON):** 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8  

These specifications are typical for high-performance power management applications.

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm The part FDU2572 is manufactured by 仙童 (Fairchild Semiconductor).  

Key specifications of FDU2572 include:  
- **Type**: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 60mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDU2572.

N-Channel UltraFET ?Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm The part FDU2572 is manufactured by FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor). It is a dual N-channel MOSFET in a TO-252 (DPAK) package. Key specifications include:  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A per MOSFET  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.042Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 800pF (typ)  

This part is commonly used in power management applications such as DC-DC converters and motor control circuits.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FDU2572.)