N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT459N is an N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor.  

### Key Specifications:  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V, I_D = 3.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This FET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FDT459N.)

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT459N is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.5A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typ)  
10. **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDT459N.