N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT457N is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications for FDT457N:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Type:** N-Channel Power MOSFET  
3. **Package:** TO-252 (DPAK)  
4. **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
5. **Current Rating (I_D):** 50A  
6. **R_DS(on) (Max):** 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
7. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
8. **Power Dissipation (P_D):** 79W  
9. **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
10. **FAI Testing Includes:**  
   - Electrical parameters verification (V_DSS, I_D, R_DS(on), etc.)  
   - Package dimensions and marking inspection  
   - Reliability and environmental testing (if required)  

For exact FAI test reports, refer to ON Semiconductor's official documentation or supplier-provided inspection records.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT457N is a P-channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.1Ω at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on standard operating conditions (T_C = 25°C unless noted).

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT457N is an N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 5.6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 1.4A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 5.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

This FET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT457N is a Field-Effect Transistor (FET) manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### **Key Specifications (FSC FDT457N):**  
- **Type:** P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):**  
  - 0.065Ω (max) @ V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
  - 0.085Ω (max) @ V_GS = -4.5V, I_D = -3.2A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDT457N. No additional guidance or recommendations are provided.