N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT439N is a P-channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max)**: 85mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching.

N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT439N is an N-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 3.4A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 15ns (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDT439N.

N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT439N is an N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V, I_D = 4.3A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 10nC (typ) at V_DS = 15V, I_D = 4.3A  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDT439N.

N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDT439N is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Type:** P-Channel MOSFET  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
5. **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
6. **Power Dissipation (P_D):** 1.4W (at 25°C)  
7. **On-Resistance (R_DS(on)):**  
   - 85mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
   - 110mΩ (at V_GS = -4.5V, I_D = -2.5A)  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
9. **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  
10. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDT439N.