-60V Dual P-Channel PowerTrench?MOSFET The part FDS9958 is manufactured by FAIRCHILD. It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8.7A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.028Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOIC-8  

These are the factual specifications for the FDS9958 as provided by FAIRCHILD.

-60V Dual P-Channel PowerTrench?MOSFET The **FDS9958** from **National Semiconductor** is a high-performance **dual N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component integrates two MOSFETs in a single package, offering space-saving advantages while delivering robust performance in switching and amplification circuits.  

With a low **on-resistance (RDS(on))** and high current-handling capability, the FDS9958 ensures minimal power loss, making it ideal for **DC-DC converters, motor control, and load switching** in portable and industrial electronics. Its **fast switching speed** enhances efficiency in high-frequency applications, reducing thermal dissipation and improving system reliability.  

The device features **enhanced gate drive characteristics**, allowing for compatibility with low-voltage control signals, typically found in modern microcontrollers and logic circuits. Additionally, its **PowerTrench® technology** provides superior thermal performance, ensuring stable operation under demanding conditions.  

Packaged in a compact **SO-8** form factor, the FDS9958 is well-suited for space-constrained designs without compromising power handling. Engineers and designers can leverage its balanced performance metrics to optimize power efficiency and system responsiveness in next-generation electronic designs.  

National Semiconductor's FDS9958 exemplifies the integration of advanced MOSFET technology with practical design considerations, making it a reliable choice for power management solutions.

-60V Dual P-Channel PowerTrench?MOSFET The FDS9958 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.5A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Package**: SOIC-8  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS9958.