Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDS9936A is manufactured by FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor). It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9.7A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 14mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Package**: SOIC-8  

These specifications are based on standard operating conditions.

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDS9936A is manufactured by Fairchild Semiconductor. It is a dual N-channel PowerTrench MOSFET. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.3A per channel  
- **R_DS(on)GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W per channel  
- **Package**: SOIC-8  

Additional features include:
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS9936A.