Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDS9936 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET from Fairchild Semiconductor, designed for high-efficiency power management applications. This component integrates two low-on-resistance (RDS(on)) MOSFETs in a compact SO-8 package, making it suitable for space-constrained designs requiring high power density.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 6.5A per channel, the FDS9936 is ideal for DC-DC converters, load switches, and motor control circuits. Its low threshold voltage (VGS(th)) and fast switching characteristics enhance performance in synchronous rectification and power distribution systems.  

The PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, improving overall system efficiency. Additionally, the device features a logic-level gate drive, allowing compatibility with low-voltage control signals (as low as 4.5V). The FDS9936 also includes built-in ESD protection, enhancing reliability in demanding environments.  

Engineers favor this MOSFET for its thermal performance, low gate charge (Qg), and robust construction, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications. Its dual-channel configuration simplifies board layout while maintaining high power-handling capabilities.  

In summary, the FDS9936 offers a balanced combination of efficiency, compactness, and reliability, making it a preferred solution for modern power management designs.