**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** PowerTrench®  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 13nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- Lead-free and RoHS compliant  

**Applications:**  
- Power management  
- DC-DC converters  
- Load switching  

(Note: Always verify datasheet for latest specifications.)