Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The **FDS8947A** from Fairchild Semiconductor is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications. This component integrates two enhancement-mode MOSFETs in a compact SO-8 package, making it suitable for space-constrained designs.  

With a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, the FDS8947A ensures efficient power switching with minimal losses. Its fast switching characteristics make it ideal for DC-DC converters, load switches, and motor control circuits. The device also features a logic-level gate drive, allowing compatibility with low-voltage control signals.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 5.5A per channel. The FDS8947A's robust thermal performance and low gate charge contribute to improved efficiency in high-frequency applications.  

Engineers favor this MOSFET for its reliability and versatility in industrial, automotive, and consumer electronics. Its dual-channel configuration simplifies circuit design by reducing component count while maintaining high performance.  

For designers seeking a balance between power efficiency and compactness, the FDS8947A offers a dependable solution for modern power management challenges.

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDS8947A is manufactured by FAIRCHILD. Here are its specifications:

- **Type**: N-Channel PowerTrench® MOSFET
- **Voltage - Drain to Source (Vdss)**: 30V
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C**: 4.3A
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs**: 0.035 Ohm @ 4.3A, 10V
- **Vgs(th) (Max) @ Id**: 2.5V @ 250µA
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs**: 8.5nC @ 10V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 480pF @ 15V
- **Power Dissipation (Max)**: 1.4W @ 25°C
- **Operating Temperature**: -55°C to 150°C
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Package / Case**: SOIC-8

These are the factual specifications for the FDS8947A as provided by FAIRCHILD.

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor **Introduction to the FDS8947A Dual N-Channel MOSFET**  

The FDS8947A from Fairchild Semiconductor is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications. Featuring advanced trench technology, this component offers low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capabilities, making it ideal for switching and amplification in compact, energy-efficient designs.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of up to 5.8A per channel, the FDS8947A is well-suited for DC-DC converters, motor control circuits, and load switching in portable electronics. Its dual-channel configuration allows for space-saving integration, reducing PCB footprint while maintaining reliable performance.  

The MOSFET also includes a fast switching characteristic, minimizing power losses in high-frequency applications. Additionally, its low gate charge (Q_G) ensures efficient drive control, further enhancing energy efficiency.  

Packaged in a compact SOIC-8 form factor, the FDS8947A combines thermal performance with robustness, making it a dependable choice for modern power electronics. Whether used in industrial, automotive, or consumer applications, this component delivers a balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness.