Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDS8936 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 25A per channel  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 28mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOIC-8  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS8936.