Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The **FDS8928A** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **dual N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component features low on-resistance (RDS(ON)) and fast switching capabilities, making it well-suited for power conversion, load switching, and motor control circuits.  

With a compact **SO-8 package**, the FDS8928A offers space-saving advantages while delivering reliable performance under demanding conditions. Its advanced trench technology ensures reduced conduction losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET is optimized for low-voltage applications, typically operating within a **30V drain-source voltage (VDS) range**, and supports high current handling with minimal power dissipation.  

Key characteristics include a **logic-level gate drive**, enabling compatibility with 5V microcontroller interfaces, and robust thermal performance for sustained operation. The device also incorporates ESD protection, improving durability in sensitive electronic environments.  

Engineers frequently integrate the FDS8928A into DC-DC converters, battery management systems, and portable electronics due to its balance of efficiency, compact form factor, and reliability. Its dual-channel configuration further simplifies circuit design by reducing component count in symmetrical power stages.  

For designers seeking a dependable MOSFET solution, the FDS8928A stands out as a versatile choice for modern power electronics.