Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part FDS8926A is manufactured by SILICONIX. Here are its specifications:

- **Type**: N-Channel Logic Level MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±12V
- **Drain Current (ID)**: 6.3A
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.028Ω (max) at VGS = 4.5V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (max)
- **Package**: SO-8
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These are the factual specifications for the FDS8926A from the manufacturer SILICONIX.