N-Channel PowerTrench MOSFET The part FDS8878 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A per MOSFET (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)  
- **Package**: SO-8  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS8878.