30V N-Channel PowerTrench?MOSFET # Introduction to the FDS8817NZ MOSFET by Fairchild Semiconductor  

The **FDS8817NZ** is an N-channel PowerTrench® MOSFET designed by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) for high-efficiency power management applications. This component is optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control circuits.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of **30V** and a continuous drain current (I_D) of **8.5A**, the FDS8817NZ provides robust performance in compact designs. Its low gate charge (Q_G) and threshold voltage (V_GS(th)) enhance energy efficiency, reducing power losses in high-frequency switching applications.  

The MOSFET features a **PowerTrench® process**, which minimizes conduction losses while improving thermal performance. Packaged in an industry-standard **SO-8** form factor, the FDS8817NZ is compatible with automated assembly processes, ensuring reliability in mass production.  

Engineers often select this MOSFET for battery-powered devices, power supplies, and portable electronics due to its balance of performance, size, and cost-effectiveness. Its specifications make it a versatile choice for modern power management solutions.

30V N-Channel PowerTrench?MOSFET The **FDS8817NZ** from National Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it well-suited for power supply circuits, motor control, and load switching.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 8.7A, the FDS8817NZ delivers reliable performance in demanding environments. Its advanced trench technology ensures minimal conduction losses, improving overall system efficiency. Additionally, the MOSFET is housed in a compact SO-8 package, offering space-saving benefits for modern PCB designs.  

The device also includes an integrated Schottky diode, enhancing its robustness in inductive load applications. Its low gate charge (Qg) and threshold voltage (VGS(th)) contribute to reduced drive requirements, making it compatible with low-voltage control circuits.  

Engineers and designers favor the FDS8817NZ for its balance of performance, thermal efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, battery management systems, or portable electronics, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs.

30V N-Channel PowerTrench?MOSFET The **FDS8817NZ** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel PowerTrench® MOSFET** designed for efficient power management in a variety of applications. This component features low on-resistance (*R_DS(ON)*) and fast switching capabilities, making it suitable for power conversion, load switching, and motor control circuits.  

With a **30V drain-source voltage (V_DSS)** rating and a continuous drain current (*I_D*) of **8.7A**, the FDS8817NZ delivers reliable performance in compact designs. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing energy efficiency in both industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in an **SO-8 package**, providing a balance between thermal performance and board space optimization. Additionally, its **logic-level gate drive** simplifies integration with low-voltage control circuits, reducing the need for additional driver components.  

Engineers often select the FDS8817NZ for applications such as **DC-DC converters, battery management systems, and power supply modules**, where high efficiency and thermal stability are critical. Its robust design and consistent performance make it a dependable choice for modern electronic systems requiring precise power control.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your circuit design.

30V N-Channel PowerTrench?MOSFET # Introduction to the FDS8817NZ Power MOSFET  

The **FDS8817NZ** from Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. This component features a low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switching, and motor control circuits.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of **30V** and a continuous drain current (I_D) of **10A**, the FDS8817NZ offers robust performance in a compact package. Its low gate charge (Q_G) ensures minimal switching losses, enhancing energy efficiency in high-frequency applications.  

The MOSFET is housed in a **SO-8** package, providing a balance between thermal performance and board space optimization. Additionally, its **logic-level gate drive** capability allows for direct interfacing with low-voltage control circuits, simplifying system design.  

Engineers often choose the FDS8817NZ for its reliability and performance in power conversion systems, battery management, and portable electronics. Its combination of low conduction losses and thermal efficiency makes it a versatile solution for modern power electronics designs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your circuit.

30V N-Channel PowerTrench?MOSFET The part FDS8817NZ is manufactured by FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor). It is a dual N-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.3A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.028Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W (per MOSFET)  
- **Package**: SOIC-8  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS8817NZ.