PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR　 The part F2012 is manufactured by Texas Instruments (TI). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Texas Instruments (TI)  
2. **Part Number**: F2012  
3. **Type**: Integrated Circuit (IC)  
4. **Function**: Specific function details (if available in Ic-phoenix technical data files)  
5. **Package**: Package type (e.g., SOIC, QFN, etc.)  
6. **Operating Voltage**: Voltage range (if specified)  
7. **Operating Temperature**: Range (e.g., -40°C to +85°C)  
8. **Current Consumption**: Typical/maximum current (if available)  
9. **Pin Count**: Number of pins (if specified)  
10. **Datasheet Reference**: Link or document number (if available)  

For exact technical details, refer to the official TI datasheet or product documentation.