PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR The part F1034 is manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: TOSHIBA  
2. **Part Number**: F1034  
3. **Type**: Power MOSFET  
4. **Package**: TO-220F  
5. **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
6. **Current Rating (ID)**: 30A  
7. **Power Dissipation (PD)**: 40W  
8. **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
9. **On-Resistance (RDS(on))**: 0.035Ω (max) at VGS = 10V  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for TOSHIBA's F1034 MOSFET. No additional details are available in Ic-phoenix technical data files.

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR The part F1034 is manufactured by TOS (TOS Varnsdorf a.s.). Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** TOS Varnsdorf a.s.  
- **Type:** Horizontal boring and milling machine  
- **Model:** WHN(Q) 13  
- **Table Load Capacity:** 10,000 kg  
- **Spindle Diameter:** 130 mm  
- **Spindle Taper:** ISO 50  
- **Spindle Speed Range:** 4–1,000 rpm  
- **Main Motor Power:** 30 kW  
- **X-Axis Travel (Longitudinal):** 4,000 mm  
- **Y-Axis Travel (Vertical):** 2,500 mm  
- **Z-Axis Travel (Transverse):** 2,000 mm  
- **W-Axis Travel (Spindle):** 800 mm  
- **Rapid Traverse Rate:** 4,000 mm/min  
- **Machine Weight:** 32,000 kg  

This information is based on the TOS WHN(Q) 13 model specifications.