PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR The F1004 is a part manufactured by **Fairchild Semiconductor**, now part of **ON Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** Dual JFET (Junction Field-Effect Transistor)  
- **Configuration:** N-channel  
- **Package:** TO-72 (metal can)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** 30V  
- **Drain Current (I_D):** 10mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4.5pF (typical)  
- **Forward Transconductance (g_fs):** 4.5mS (typical)  
- **Noise Figure (NF):** Low (suitable for high-fidelity audio applications)  

### **Applications:**  
- Low-noise amplifiers  
- Analog switches  
- Audio preamplifiers  
- High-impedance buffer circuits  

For exact performance characteristics, refer to the **Fairchild/ON Semiconductor datasheet**.