Diodes for Protecting Against ESD The part DF3A8.2LFE is manufactured by TOSHIBA. It is a diode with the following specifications:  

- **Type**: Fast Recovery Diode  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 800 V  
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.7 V (typical at IF = 3 A)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 35 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F (isolated type)  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the DF3A8.2LFE diode.