PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR The part DDTA123YE-7-F is manufactured by DIODES. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Digital Transistor (NPN)
2. **Configuration**: Built-in bias resistors (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ)
3. **Collector Current (Ic)**: 100mA (max)
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V (max)
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V (max)
6. **DC Current Gain (hFE)**: 100 (min) to 400 (max) at Ic = 2mA, VCE = 5V
7. **Power Dissipation (PD)**: 200mW (max)
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C (max)
9. **Storage Temperature Range (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **Package**: SOT-363 (6-pin)

This information is based solely on the available data for DDTA123YE-7-F from DIODES.