Common Anode Silicon Dual Switching Diodes The DAP222T1G is a PNP transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-300 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

Applications include switching and amplification in electronic circuits.  

(Source: ON Semiconductor datasheet for DAP222T1G.)