SOT-723 Plastic-Encapsulate Diodes The DAP222M is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 60mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -2.5V  
- **Package**: SOP-8  

For detailed datasheet information, refer to ROHM's official documentation.

SOT-723 Plastic-Encapsulate Diodes **Introduction to the DAP222M Electronic Component**  

The DAP222M is a high-performance electronic component widely used in power supply and voltage regulation applications. Designed for efficiency and reliability, this device is commonly integrated into circuits requiring stable power management, such as in consumer electronics, industrial systems, and automotive applications.  

Featuring a compact form factor, the DAP222M offers excellent thermal performance and low power dissipation, making it suitable for space-constrained designs. Its robust construction ensures durability under varying operating conditions, including temperature fluctuations and electrical stress.  

Key specifications of the DAP222M include a high current rating, low dropout voltage, and fast transient response, which contribute to improved system performance. Additionally, its built-in protection mechanisms, such as overcurrent and thermal shutdown, enhance safety and longevity in demanding environments.  

Engineers and designers favor the DAP222M for its balance of performance and cost-effectiveness, making it a practical choice for both prototyping and mass production. Whether used in switching regulators, battery-powered devices, or embedded systems, this component delivers consistent and reliable operation.  

For detailed technical parameters, consult the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into specific circuit designs.