IC Phoenix logo

Home ›  D  › D37 > DTA143ZE

DTA143ZE from ROHM

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

DTA143ZE

Manufacturer: ROHM

Pre-biased Transistors

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DTA143ZE ROHM 10340 In Stock

Description and Introduction

Pre-biased Transistors The DTA143ZE is a digital transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:  

- **Type**: Digital transistor (built-in resistor)  
- **Polarity**: PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 56 (min) to 112 (max) at VCE = -5V, IC = -2mA  
- **Built-in Resistors**:  
  - R1 (Base resistor): 4.7kΩ  
  - R2 (Base-Emitter resistor): 4.7kΩ  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-416 (SC-75)  

This information is based on ROHM's official datasheet for the DTA143ZE.

Application Scenarios & Design Considerations

Pre-biased Transistors# Technical Documentation: DTA143ZE Digital Transistor (NPN)

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DTA143ZE is a  digital transistor  (also known as a bias resistor-equipped transistor or BRET) integrating a monolithic NPN bipolar junction transistor (BJT) with two built-in resistors. This configuration enables direct interfacing with microcontrollers and logic circuits without requiring external biasing components.

 Primary applications include: 
*    Low-Side Switching:  Directly driving relays, solenoids, LEDs, and small DC motors from microcontroller GPIO pins (3.3V or 5V logic).
*    Signal Inversion/Level Shifting:  Acting as an inverting buffer to interface between logic families or to increase fan-out capability.
*    Interface Buffering:  Protecting sensitive microcontroller outputs by isolating them from inductive loads or higher-current circuits.
*    Pull-Down/Driver for Power MOSFETs:  Providing a fast, definitive pull-down for the gate of a MOSFET in switching applications.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Remote controls, smart home devices, toys, and appliances for button/switch interfacing and LED driver circuits.
*    Automotive Electronics:  Non-critical body control modules (e.g., interior lighting control, simple actuator drivers) where component count reduction is valued.
*    Industrial Control:  PLC I/O modules, sensor signal conditioning, and indicator lamp drivers in factory automation.
*    Telecommunications:  Line interface circuits and status indicator drivers in routers, modems, and network equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Board Space Savings:  Eliminates two discrete resistors (R1 and R2), reducing PCB footprint and assembly cost.
*    Improved Reliability:  Fewer solder joints and components enhance overall system reliability.
*    Simplified Design:  The built-in bias network (R1=4.7kΩ, R2=47kΩ) is optimized for 3.3V/5V logic, simplifying circuit design and BOM.
*    Good Switching Performance:  Provides fast turn-on/off times suitable for kHz-range switching applications.
*    ESD Protection:  The integrated resistors offer a degree of electrostatic discharge protection for the base.

 Limitations: 
*    Fixed Bias Ratio:  The built-in resistor ratio (R1/R2 ≈ 10) is not adjustable. Designs requiring precise bias points or different gain settings must use discrete transistors.
*    Limited Current Capability:  Collector current (Ic) is typically limited to  100mA continuous . It is not suitable for high-power switching.
*    Voltage Constraints:  Collector-Emitter voltage (Vceo) is  50V , and Collector-Base voltage (Vcbo) is  50V , defining its application voltage range.
*    Thermal Dissipation:  In a small SMT package (EMT3/SC-75), power dissipation (Pc) is limited to  150mW  at Ta=25°C. Sustained high-current operation requires thermal analysis.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Overlooking Saturation Voltage (Vce(sat)). 
    *    Issue:  At the target operating current (e.g., 50mA), Vce(sat) may be higher than a discrete BJT's, reducing voltage across the load.
    *    Solution:  Carefully consult the Vce(sat) vs. Ic graph in the datasheet. Ensure the voltage drop is acceptable for your load (e.g., an LED) and supply voltage.

*    Pitfall 2: Driving Inductive Loads Without Protection. 
    *    Issue:  Switching off a

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DTA143ZE ON 3000 In Stock

Description and Introduction

Pre-biased Transistors The DTA143ZE is a digital transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Base Resistor (R1)**: 4.7kΩ
- **Base-Emitter Resistor (R2)**: 10kΩ
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 400 (at VCE = -5V, IC = -5mA)
- **Package**: SOT-523 (SC-89)
- **Marking**: "1E"
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This device is designed for switching and amplification applications with built-in bias resistors for simplified circuit design.

Application Scenarios & Design Considerations

Pre-biased Transistors# Technical Documentation: DTA143ZE Digital Transistor (PNP)

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DTA143ZE is a  digital transistor (PNP)  with a built-in bias resistor network, designed primarily for  low-power switching and amplification  in logic-level interfaces. Its integrated resistors simplify circuit design by reducing component count.

*    Load Switching:  Directly driving small loads (e.g., LEDs, relays, solenoids) from microcontroller GPIO pins. The built-in base resistor allows direct connection to logic outputs without an external current-limiting resistor.
*    Signal Inversion:  Acting as an inverting buffer or level shifter in digital circuits, converting a high logic level to a low output and vice-versa.
*    Interface Buffering:  Isolating and protecting sensitive microcontroller or logic IC outputs from higher-current or inductive loads.
*    Pull-up/Pull-down Functions:  Used in open-collector/drain output configurations or to ensure a defined state on signal lines.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Remote controls, smart home devices, toys, and appliances for keypad input interfacing or indicator LED driving.
*    Automotive Electronics:  Non-critical body control modules (BCM) for interior lighting control, switch sensing, and low-power actuator driving.
*    Industrial Control:  PLC input/output modules, sensor signal conditioning, and optocoupler output stages.
*    Telecommunications:  Line interface circuits and signal conditioning in low-voltage communication equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Board Space Savings:  The integrated resistor network (R1=4.7 kΩ, R2=4.7 kΩ) eliminates two external SMD components, reducing PCB footprint and assembly cost.
*    Design Simplification:  Simplified schematic and bill of materials (BOM). The fixed bias ratio provides predictable switching characteristics.
*    Improved Reliability:  Fewer solder joints and components enhance overall system reliability.
*    ESD Protection:  The internal resistors provide a degree of electrostatic discharge (ESD) protection for the base-emitter junction.

 Limitations: 
*    Fixed Bias:  The resistor ratio (R1/R2) is fixed by the manufacturer (typically 1:1 for the DTA143ZE). Designers cannot optimize bias for specific gain or saturation requirements.
*    Limited Current Handling:  As a small-signal transistor in an SOT-416 (SC-75) package, it is typically rated for collector currents (`Ic`) up to  100 mA . It is unsuitable for high-power switching.
*    Speed Constraints:  The internal base resistor, combined with circuit parasitics, limits maximum switching speed, making it inappropriate for high-frequency (>1 MHz) applications.
*    Thermal Considerations:  The ultra-small package has limited power dissipation capability (approx. 150 mW). Continuous operation at high current will cause significant junction temperature rise.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Overdriving the Base.  Applying a voltage significantly higher than the absolute maximum rating (`Veb` = 10V) to the base-emitter junction.
    *    Solution:  Ensure the driving signal (e.g., from a microcontroller) does not exceed the `Veb` rating. A series resistor may still be needed if the source voltage is high, despite the internal resistor.
*    Pitfall 2: Exceeding `Ic` or Power Ratings.  Connecting a load that draws more than 100 mA or causing excessive power dissipation (`Vce * Ic`).
    *    Solution:  Calculate the worst-case `Ic` and power dissipation. Use the transistor only within its Safe Operating Area (SOA).

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
DTA143ZE DIODES 1230 In Stock

Description and Introduction

Pre-biased Transistors The DTA143ZE is a digital transistor manufactured by DIODES Incorporated. It is a PNP transistor with a built-in resistor, designed for switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 82 to 390 (depending on conditions)
- **Built-in Resistor Values**: R1 (Base resistor) = 4.7kΩ, R2 (Base-Emitter resistor) = 10kΩ
- **Package**: SOT-523 (SC-89)

The device is RoHS compliant and halogen-free. It is commonly used in digital circuits, interface circuits, and driver applications.

Application Scenarios & Design Considerations

Pre-biased Transistors# Technical Document: DTA143ZE Digital Transistor

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The DTA143ZE is a digital transistor (bias resistor-equipped transistor) primarily used as a compact, high-gain switching and amplification solution in low-power applications. Its integrated base-emitter and base-collector resistors simplify circuit design by reducing external component count.

 Primary applications include: 
-  Signal Switching : Interface circuits between microcontrollers (MCUs, CPUs) and higher-power loads, such as relays, LEDs, or small motors.
-  Inverter/Driver Circuits : Level shifting and signal inversion in digital logic circuits, particularly useful in 3.3V or 5V systems.
-  Load Driving : Direct driving of small indicator LEDs, buzzers, or other low-current peripherals (<100mA typical).
-  Input Buffering : Providing high input impedance and gain for sensor interfaces or signal conditioning stages.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Remote controls, smart home devices, and portable electronics where board space is limited.
-  Automotive Electronics : Non-critical switching functions in infotainment, lighting control, and sensor modules (within specified temperature ranges).
-  Industrial Control : PLC I/O modules, limit switch interfaces, and low-speed communication line drivers.
-  Telecommunications : Signal routing and isolation in low-frequency communication equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Space Efficiency : Combines a transistor with two bias resistors in a SOT-523 (SC-89) package, reducing PCB footprint by up to 70% compared to discrete implementations.
-  Design Simplification : Eliminates external resistor calculations and placement, speeding development and reducing BOM count.
-  Improved Reliability : Matched internal resistors provide consistent biasing, reducing performance variations due to external component tolerances.
-  High DC Current Gain (hFE) : Typical hFE of 100-400 ensures good signal amplification with minimal base current requirements.

 Limitations: 
-  Fixed Biasing : Internal resistor values (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) are not adjustable, limiting design flexibility for non-standard voltage levels.
-  Power Handling : Maximum collector current (IC) of 100mA and power dissipation of 150mW restrict use to low-power applications.
-  Frequency Response : Transition frequency (fT) of 80MHz (min) makes it unsuitable for RF or high-speed switching (>10MHz) applications.
-  Thermal Constraints : Small package size limits heat dissipation; continuous operation near maximum ratings requires thermal management.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Overcurrent Conditions 
-  Issue : Exceeding IC(max)=100mA can cause thermal runaway and device failure.
-  Solution : Implement current-limiting resistors in series with the collector load. Calculate resistor value using Rlimit = (VCC - Vload)/ILoad(max).

 Pitfall 2: Incorrect Logic Level Matching 
-  Issue : 3.3V MCU outputs may not sufficiently drive the transistor when VCC=5V due to internal resistor divider.
-  Solution : Verify input voltage thresholds using the transfer characteristic curves in the datasheet. For marginal cases, add a small external base resistor (1-2kΩ) to adjust bias point.

 Pitfall 3: Switching Speed Limitations 
-  Issue : Slow rise/fall times (typically 60ns/250ns) causing signal distortion in higher frequency applications.
-  Solution : For switching >1MHz, consider alternative devices or add a speed-up capacitor (10-100pF) across the internal base resistor (between base and emitter terminals).

 Pitfall 4: Thermal

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips