4096K Nonvolatile SRAM The DS1250ABP-70 is a nonvolatile SRAM (NVSRAM) manufactured by DALLAS (now part of Maxim Integrated). Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 512Kb (64K x 8)
2. **Voltage Supply**: 5V ±10%
3. **Access Time**: 70ns
4. **Data Retention**: Minimum 10 years without power
5. **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)
6. **Operating Temperature Range**: 0°C to 70°C
7. **Integrated Features**: Built-in lithium energy source and power-fail control circuitry
8. **SRAM Mode**: Unlimited read/write cycles
9. **Nonvolatile Storage**: Automatic data backup on power loss
10. **Pin Compatibility**: JEDEC standard pinout for easy replacement of existing SRAMs

This device is designed for applications requiring nonvolatile memory with fast SRAM performance.

4096K Nonvolatile SRAM The DS1250ABP-70 is a nonvolatile SRAM manufactured by Maxim Integrated (now part of Analog Devices). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Memory Size**: 512Kb (organized as 64K x 8)  
2. **SRAM Type**: Nonvolatile (NV SRAM) with built-in lithium energy source  
3. **Access Time**: 70ns  
4. **Operating Voltage**: 4.5V to 5.5V  
5. **Data Retention**: Minimum 10 years without power  
6. **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)  
7. **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
8. **Write Cycles**: Unlimited (typical SRAM endurance)  
9. **AutoStore Feature**: Automatically saves data to nonvolatile storage on power loss  
10. **Interface**: Parallel (8-bit data bus)  

These are the confirmed specifications for the DS1250ABP-70 as provided by the manufacturer.

4096K Nonvolatile SRAM The DS1250ABP-70 is a nonvolatile static RAM (NV SRAM) manufactured by Dallas Semiconductor (now part of Maxim Integrated). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 512Kb (organized as 64K x 8)
- **Access Time**: 70ns
- **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)
- **Voltage Supply**: 5V ±10%
- **Data Retention**: Minimum 10 years without power
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C
- **Battery Backup**: Built-in lithium energy source
- **Write Cycle Endurance**: Unlimited (nonvolatile storage)
- **Interface**: Parallel (TTL-compatible)
- **AutoStore Function**: Automatically saves data on power loss
- **Pin Configuration**: JEDEC-standard 32-pin DIP layout

This device combines SRAM with nonvolatile EEPROM technology for reliable data storage.