N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN601TK-7 is a MOSFET transistor manufactured by DIDDES. Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN601TK-7 is a MOSFET transistor manufactured by DIODES Incorporated. Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 6.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(ON))**: 200mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on DIODES Incorporated's datasheet for the DMN601TK-7.